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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FGPF30N30TTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGPF30N30TTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGPF30N30TTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGPF30N30TTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FGPF30N30TTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGPF30N30TTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGPF30N30TTU 是安森美（ON Semiconductor）推出的300V、30A、TO-220FP封装的N沟道功率MOSFET（非IGBT，型号后缀“TTU”对应标准单片MOSFET，非IGBT；其数据手册明确标注为“Power MOSFET”）。该器件具有低导通电阻（RDS(on)典型值45mΩ）、快速开关特性及内置ESD保护，适用于中高压、中功率开关应用。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源中的主开关管或同步整流管（需搭配驱动电路）； 2. 电机控制：在中小功率直流无刷电机（BLDC）驱动、风扇/泵类家电控制器中作为H桥上/下臂开关； 3. 逆变与DC-AC转换：用于离网光伏微逆变器、UPS后备电源中的DC/AC级功率开关（配合续流二极管使用）； 4. 工业控制：PLC输出模块、固态继电器（SSR）、电磁阀/加热器驱动等需要可靠通断与一定浪涌耐受能力的场合； 5. 消费电子：大功率快充协议芯片配套的次级同步整流、便携式设备电源管理模块。 注意：该器件为单N沟道增强型MOSFET，非IGBT（用户描述中“IGBT、MOSFET - 单”存在归类混淆，实际为MOSFET），不适用于极高电压（>600V）或超大电流（>50A）场景。设计时需关注其雪崩耐量（EAS=280mJ）、结温限制（Tj≤150℃）及PCB散热能力。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 22ns/130ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 80A |
| 描述 | IGBT 300V 44.6W TO220F |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 65nC |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FGPF30N30TTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 200V, 20A, 20 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.5V @ 15V，10A |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 44.6W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 300V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | - |
| 输入类型 | 标准 |
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