Datasheet下载- 型号： FGH75N60UFTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGH75N60UFTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH75N60UFTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGH75N60UFTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FGH75N60UFTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGH75N60UFTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGH75N60UFTU 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款高功率MOSFET器件，常用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性，适用于多种工业及消费类电源应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，用于提高能量转换效率并减小体积。 2. 电机驱动：在工业自动化设备、电动工具或电动车电机控制系统中作为功率开关使用。 3. 逆变器系统：应用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等场合，实现直流电到交流电的高效转换。 4. 充电设备：如电动汽车充电桩、电池管理系统中的高频开关电路。 5. 照明电源：用于LED路灯或大功率照明设备的恒流驱动电源中，提升能效与稳定性。 由于其良好的热稳定性和耐压能力（600V），FGH75N60UFTU特别适合在高温、高电压环境下长期稳定工作。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 27ns/128ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 225A |
| 描述 | IGBT 600V 150A 452W TO247IGBT 晶体管 N-CH / 600V 75A FS Planar |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 250nC |
| IGBT类型 | 场截止 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH75N60UFTU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGH75N60UFTU |
| SwitchingEnergy | 3.05mJ （开）， 1.35mJ （关） |
| TestCondition | 400V, 75A, 3 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.4V @ 15V，75A |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率-最大值 | 452W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.390 g |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247AB-3 |
| 工厂包装数量 | 150 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150A |
| 系列 | FGH75N60S |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 150 A |
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