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- 型号： FGH30T65UPDT_F155
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGH30T65UPDT_F155由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH30T65UPDT_F155价格参考。Fairchild SemiconductorFGH30T65UPDT_F155封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FGH30T65UPDT_F155参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGH30T65UPDT_F155 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGH30T65UPDT_F155 是安森美（ON Semiconductor）推出的650V、30A高速场截止型IGBT（带反并联快恢复二极管），采用TO-247-4L封装，具备低开关损耗、高短路耐受能力（典型值4μs）及优化的dv/dt鲁棒性。其主要应用场景包括： 1. 工业变频器与伺服驱动：适用于中功率（约5–15kW）电机控制，满足高频PWM（20kHz以上）下高效、低噪声运行需求； 2. 不间断电源（UPS）与逆变器：在在线式UPS和光伏/储能系统逆变环节中，承担DC-AC能量转换，兼顾效率与可靠性； 3. 感应加热与电磁炉：利用其快速开关特性（典型t_f < 45ns）和低导通压降（V_CE(sat) ≈ 1.7V @ 30A），提升谐振回路效率与热管理性能； 4. 电动汽车车载充电机（OBC）与DC-DC变换器：在PFC级或隔离式LLC次级同步整流替代方案中，提供高功率密度与高可靠性。 该器件特别适合对开关速度、EMI抑制和系统温升有严苛要求的中高功率硬开关应用，配合优化的驱动电路（如负压关断、米勒钳位）可进一步提升稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 22ns/139ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 90A |
| 描述 | IGBT 650V 60A 250W TO247-3 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 155nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FGH30T65UPDT_F155 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 760µJ （开）， 400µJ （关） |
| TestCondition | 400V， 30A， 8 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.3V @ 15V，30A |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 43ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 60A |
| 输入类型 | 标准 |
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