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产品简介:
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FDZ299P 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS): FDZ299P 的低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(Vds)特性使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它能够高效地控制电流的开断,降低能量损耗。 2. 直流电机驱动: 在小型直流电机驱动中,FDZ299P 可用作开关器件,控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关能力和低导通损耗有助于提高系统效率。 3. 负载切换: 该 MOSFET 可用于负载切换电路中,实现对负载的快速开启或关闭。例如,在消费电子设备中,它可以用来管理电池供电设备的电源分配。 4. 逆变器和转换器: FDZ299P 可应用于 DC-DC 转换器和逆变器中,作为主开关器件,提供高效的电压转换功能。其低栅极电荷(Qg)特性有助于减少开关损耗。 5. 电池保护电路: 在便携式电子设备中,FDZ299P 可用于电池保护电路,防止过充、过放或短路等情况发生。其低导通电阻可减少电池电流通过时的功耗。 6. 汽车电子: 由于其耐高压能力(Vds = 60V),FDZ299P 适用于一些汽车电子应用,如电动窗、雨刷器或座椅调节系统的电机驱动。 7. LED 驱动: 在 LED 照明应用中,FDZ299P 可用于恒流驱动电路,确保 LED 的亮度稳定且节能。 总体而言,FDZ299P 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景中,特别适合低至中等功率的应用领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDZ299P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 742pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 55 毫欧 @ 4.6A,4.5V |
| 供应商器件封装 | 9-BGA |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 9-WFBGA |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.6A (Ta) |