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- 型号： FDZ291P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDZ291P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDZ291P价格参考。Fairchild SemiconductorFDZ291P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDZ291P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDZ291P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDZ291P 是安森美（onsemi）推出的 P 沟道增强型 MOSFET，采用小型 SOT-23 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 140 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 3.5 nC）及快速开关特性。其额定电压为 −20 V，连续漏极电流为 −2.9 A（TA = 25°C），适合低压、中低功率场景。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，利用其低功耗与小尺寸优势； ✅ DC-DC 转换器同步整流：在降压（Buck）转换器的下管位置，提升转换效率； ✅ H桥电机驱动中的上/下臂控制：配合N-MOSFET构成半桥，用于微型直流电机（如振动马达、风扇）的正反转与PWM调速； ✅ USB端口过流/反向保护：作为反向电流阻断开关，防止电池倒灌或外设异常供电； ✅ LED驱动与背光控制：用于中小电流LED串的开关调光，响应快、无机械触点损耗。 注意：FDZ291P 为逻辑电平驱动（VGS(th) ≈ −0.5 V 至 −1.2 V），可直接由MCU GPIO（3.3 V/5 V）可靠驱动，无需额外电平转换或驱动IC，简化设计。但需注意其雪崩耐量有限，不建议用于强感性负载突断等高应力场合。实际应用中应做好PCB散热（SOT-23热阻较高）及ESD防护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDZ291P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1010pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 4.6A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 9-BGA |
| 其它名称 | FDZ291PDKR |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 9-WFBGA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.6A （Ta） |
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