Datasheet下载- 型号： FDZ209N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDZ209N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDZ209N价格参考。Fairchild SemiconductorFDZ209N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDZ209N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDZ209N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDZ209N是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理：FDZ209N常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块中，作为高效的开关元件。它的低导通电阻（Rds(on)）特性能够减少功率损耗，提高系统效率。 2. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，该MOSFET可以用来控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和较低的导通损耗使其非常适合此类应用。 3. 负载切换：在消费电子设备（如笔记本电脑、平板电脑等）中，FDZ209N可用于负载切换以保护电路免受过流或短路的影响。它能够迅速响应并切断电流路径，从而保护其他敏感组件。 4. 电池管理系统（BMS）：此型号的MOSFET适用于锂离子电池组中的充放电控制和保护电路。它可以有效地管理电流流动，防止过度充电或放电，延长电池寿命。 5. 电信与网络设备：在路由器、交换机和其他通信基础设施中，FDZ209N可以用作信号路径上的开关或隔离器件，确保数据传输的稳定性和可靠性。 6. 汽车电子：尽管FDZ209N不是专门设计用于恶劣环境下的汽车级产品，但在某些非关键性的车载应用（如照明控制、娱乐系统等）中仍可能被采用。 总之，由于其优良的电气性能和紧凑的封装形式（TO-252/DPAK），FDZ209N成为众多需要高效能、小尺寸解决方案的设计的理想选择。不过，在具体应用时还需根据实际需求考虑散热设计及周边电路配套等因素。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 4A 12-BGA |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDZ209N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 657pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 4A，5V |
| 供应商器件封装 | 12-BGA （2x2.5） |
| 其它名称 | FDZ209NDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 12-WFBGA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
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