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  • 型号: FDZ203N
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDZ203N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDZ203N价格参考。Fairchild SemiconductorFDZ203N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDZ203N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDZ203N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDZ203N 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它属于单晶体管类别,广泛应用于多种电力电子场景。以下是 FDZ203N 的主要应用场景:

1. 开关电源 (SMPS):  
   FDZ203N 的低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性使其非常适合用作开关电源中的功率开关。它可以高效地控制电压和电流的转换,适用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器。

2. 电机驱动:  
   该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件来控制电机的启停、速度和方向。其低 Rds(on) 可减少功耗并提高效率。

3. 负载开关:  
   在消费类电子产品中,FDZ203N 常被用作负载开关,用于动态控制电路中的电流流动,保护下游电路免受过流或短路的影响。

4. 电池管理:  
   它适用于锂电池或其他可充电电池的充放电管理电路中,用于控制电池的充电速率或切断异常状态下的电流路径。

5. 逆变器:  
   FDZ203N 可用于小型逆变器中,将直流电转换为交流电,支持家用电器或工业设备的供电需求。

6. LED 驱动:  
   在 LED 照明应用中,这款 MOSFET 可用作恒流源的一部分,调节通过 LED 的电流以确保亮度稳定。

7. 信号放大与缓冲:  
   由于其良好的线性特性和低导通电阻,FDZ203N 还可以用于信号放大或缓冲电路中,提供更高的输出能力。

总之,FDZ203N 凭借其出色的电气性能和可靠性,成为众多电力电子设计中的理想选择,尤其是在需要高效能和小体积解决方案的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 20V 7.5A BGA

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FDZ203N

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

PowerTrench®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1127pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

18 毫欧 @ 7.5A,4.5V

供应商器件封装

9-BGA

功率-最大值

1.6W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

9-WFBGA

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.5A (Ta)

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