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产品简介:
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FDZ203N 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它属于单晶体管类别,广泛应用于多种电力电子场景。以下是 FDZ203N 的主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS): FDZ203N 的低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性使其非常适合用作开关电源中的功率开关。它可以高效地控制电压和电流的转换,适用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动: 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件来控制电机的启停、速度和方向。其低 Rds(on) 可减少功耗并提高效率。 3. 负载开关: 在消费类电子产品中,FDZ203N 常被用作负载开关,用于动态控制电路中的电流流动,保护下游电路免受过流或短路的影响。 4. 电池管理: 它适用于锂电池或其他可充电电池的充放电管理电路中,用于控制电池的充电速率或切断异常状态下的电流路径。 5. 逆变器: FDZ203N 可用于小型逆变器中,将直流电转换为交流电,支持家用电器或工业设备的供电需求。 6. LED 驱动: 在 LED 照明应用中,这款 MOSFET 可用作恒流源的一部分,调节通过 LED 的电流以确保亮度稳定。 7. 信号放大与缓冲: 由于其良好的线性特性和低导通电阻,FDZ203N 还可以用于信号放大或缓冲电路中,提供更高的输出能力。 总之,FDZ203N 凭借其出色的电气性能和可靠性,成为众多电力电子设计中的理想选择,尤其是在需要高效能和小体积解决方案的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 7.5A BGA |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDZ203N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1127pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 18 毫欧 @ 7.5A,4.5V |
| 供应商器件封装 | 9-BGA |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 9-WFBGA |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.5A (Ta) |