Datasheet下载- 型号： FDY3001NZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDY3001NZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDY3001NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDY3001NZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDY3001NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDY3001NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDY3001NZ 是安森美（ON Semiconductor）推出的双N沟道增强型MOSFET阵列，采用SOT-363（SC-70）超小型封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅150mΩ @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷（Qg约1.5nC）和高开关效率等特点。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的LED背光驱动、相机闪光灯控制、振动马达驱动等，得益于其小尺寸、低功耗与快速开关特性。 2. 负载开关与电源路径管理：在多电源系统（如USB供电+电池供电）中，用作双路独立的高侧/低侧负载开关，实现电源切换、过流保护及待机功耗优化。 3. DC-DC转换器辅助电路：常用于同步整流Buck或Boost转换器的驱动级、栅极驱动缓冲器，或作为逻辑电平转换/信号切换的开关阵列。 4. 接口与I/O扩展电路：在微控制器（MCU）或FPGA外围，用于驱动中小功率外设（如传感器、LED、蜂鸣器），提供电平移位与隔离功能。 5. 电池保护与充放电管理模块：在单节锂离子电池应用中，配合保护IC实现充放电回路的双MOSFET控制（如充电路径与放电路径独立控制）。 该器件工作电压范围为-0.3V至20V（Vds），额定连续漏极电流为0.28A（Ta=25℃），适用于空间受限、对能效与响应速度要求较高的低压、小电流开关场景。注意需合理设计PCB散热与驱动电路以确保长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 200MA SOT-563F |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDY3001NZ |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 60pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-563F |
| 功率-最大值 | 446mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 200mA |
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