Datasheet下载- 型号： FDY2001PZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDY2001PZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDY2001PZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDY2001PZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDY2001PZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDY2001PZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDY2001PZ 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列，采用SOT-363（SC-70-6）超小型封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 2.5Ω @ VGS = –4.5V）、低栅极电荷、快速开关特性及ESD保护。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关与电源路径控制，利用双P-MOSFET实现主备电源切换或电池充放电保护； 2. LED背光/指示灯驱动：在空间受限的显示模组中，作为低功耗、高效率的LED电流开关，支持PWM调光； 3. I²C/SPI等数字接口电平转换与总线隔离：配合上拉电阻，实现开漏输出驱动或双向电平位移（需外部电路配合）； 4. H桥驱动的上臂开关（需搭配外部N-MOSFET）：适用于微型直流电机（如振动马达、小风扇）的低电压（≤5V）正反转控制； 5. 电池供电系统的反向电流阻断与热插拔保护：利用P-MOSFET的天然单向导通特性，防止电池倒灌或浪涌。 该器件不适用于大功率开关或高频DC-DC主开关，但凭借小尺寸、低静态功耗和高集成度，在对PCB面积与功耗敏感的消费类与IoT终端中广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 150MA SOT-563F |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDY2001PZ |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 100pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 欧姆 @ 150mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-563F |
| 功率-最大值 | 446mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 150mA |
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