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- 型号： FDW2507NZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDW2507NZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDW2507NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDW2507NZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDW2507NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDW2507NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDW2507NZ 是安森美（onsemi）推出的双通道N沟道逻辑电平增强型MOSFET阵列（采用SO-8封装），具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅19mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性及100%经过雪崩能量测试等优势。其典型应用场景包括： • DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的上下管驱动，尤其适用于便携式设备（如平板电脑、笔记本适配器、USB PD充电器）中的高效率、小尺寸电源模块。 • 负载开关与电源路径管理：在电池供电系统中实现主电源与备用电源的自动切换、热插拔保护或系统级电源分时控制（如为CPU、GPU等核心模块独立供电与关断）。 • 电机驱动与LED驱动：适用于小型直流有刷电机（如风扇、云台）的H桥驱动，以及多路LED背光/照明的PWM调光控制。 • 接口与I/O扩展电路：作为逻辑电平转换或总线隔离器件，配合微控制器（MCU）或FPGA驱动中等电流外设（如传感器、继电器、蜂鸣器等）。 该器件支持3.3V/5V逻辑直接驱动，无需额外电平转换；内置ESD防护与栅极箝位二极管，提升了系统鲁棒性。其双MOSFET共源结构设计便于紧凑布局，适合空间受限的高密度PCB应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDW2507NZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2152pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19 毫欧 @ 7.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.5A |
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