Datasheet下载- 型号： FDW2506P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDW2506P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDW2506P价格参考。Fairchild SemiconductorFDW2506P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDW2506P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDW2506P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDW2506P 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为35mΩ @ Vgs = –4.5V）、逻辑电平驱动（–1.8V阈值）、高雪崩耐量及热稳定性好等特点。 其典型应用场景包括： ✅ 电源管理：常用于笔记本电脑、平板电脑及便携式设备的负载开关与电源路径管理，支持电池充放电切换与系统供电隔离。 ✅ 背光LED驱动：在LCD背光电路中作为高效、低功耗的PWM调光开关，尤其适用于双路独立控制需求。 ✅ H桥或半桥驱动辅助电路：虽非主功率器件，但可作为P侧同步整流开关或电平移位/使能控制单元，配合N-MOSFET构建紧凑型DC-DC或电机驱动模块。 ✅ 热插拔与USB端口保护：利用其快速关断能力与过流保护兼容性，实现端口级电源浪涌抑制与故障隔离。 ✅ 工业控制板卡：在PLC模块、传感器接口板中用于多路低功耗外设电源启停控制，提升系统能效与可靠性。 该器件集成双P-MOSFET，节省PCB面积，简化设计；具备±20V栅源耐压与–55°C~+150°C工作温度范围，适应严苛环境。需注意其为P沟道，驱动时通常需电平转换或上拉至VCC，不适用于高压或大电流主开关（持续ID≤4.5A），宜搭配合理散热与驱动设计使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 20V 5.3A 8-TSSO |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDW2506P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1015pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 5.3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.3A |
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