Datasheet下载- 型号： FDW2502P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDW2502P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDW2502P价格参考。Fairchild SemiconductorFDW2502P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDW2502P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDW2502P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDW2502P 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列，采用小型TSOP-6封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 42 mΩ @ VGS = −4.5 V）、逻辑电平驱动（兼容3.3 V/5 V MCU）、快速开关特性及内置ESD保护等优势。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑中的负载开关或电池保护电路，用于控制外设供电通断，实现低功耗待机与快速唤醒； 2. DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）转换器中作为同步整流管（尤其适用于低电压输出侧），提升转换效率并减小温升； 3. H桥驱动与电机控制：配合N沟道MOSFET构成半桥或H桥，用于微型直流电机、振动马达或LED背光调光的双向/ PWM控制； 4. 热插拔与电源排序电路：利用其快速关断能力，在多电源系统中实现上电时序管理或故障隔离； 5. USB端口过流保护与限流开关：集成于USB Type-C接口电源路径中，提供短路保护与软启动功能。 该器件无需外部驱动电路，节省PCB空间，适用于对尺寸、能效和可靠性要求较高的消费类及工业嵌入式系统。注意其为双P沟道共源结构，需注意栅极驱动极性及布局散热设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.4A 8-TSSO |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDW2502P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1465pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.4A |
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