Datasheet下载- 型号： FDW2501NZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDW2501NZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDW2501NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDW2501NZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDW2501NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDW2501NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDW2501NZ 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道逻辑电平增强型MOSFET阵列，采用小型TSOP-6封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 28 mΩ @ VGS = 4.5 V）、快速开关特性及1.8V兼容逻辑输入，适用于空间受限、高能效的低压直流应用。 典型应用场景包括： • 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关与电池保护电路，利用其双MOSFET结构实现正向/反向路径控制或电源路径管理（Power Path）。 • DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）转换器中作为下管同步整流器件，提升转换效率并降低温升。 • LED驱动与背光控制：用于多路LED串的独立调光或开关控制，支持PWM频率达数百kHz。 • H桥电机驱动（小功率）：配合外部驱动电路构成半桥或全桥，驱动微型直流电机、振动马达或电磁阀（需注意其非集成驱动，需外置栅极驱动）。 • 热插拔与USB Type-C接口保护：在PD协议供电路径中作过流/短路保护开关，响应快、功耗低。 该器件不适用于高压（>20V）或大电流（连续ID >3.5A）场景，设计时需注意PCB散热及栅极驱动稳定性。总体定位为高集成度、低功耗、小尺寸的中低功率开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDW2501NZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1286pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 5.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.5A |
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