Datasheet下载- 型号： FDU8876
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDU8876由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDU8876价格参考。Fairchild SemiconductorFDU8876封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDU8876参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDU8876 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDU8876 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用紧凑的5引脚SO-8FL（PowerFLAT™ 5x6）封装，具备低导通电阻（RDS(on)典型值仅3.2 mΩ @ VGS=10V）、高电流能力（ID连续达90A）及优异的热性能，适用于高效率、高密度电源设计。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于服务器/通信设备中的同步降压（Buck）转换器，作为高侧或低侧开关，提升转换效率并降低温升； ✅ 电动工具与电池供电设备：在12V–48V电池系统中驱动电机或作负载开关，凭借低RDS(on)减少功耗，延长续航； ✅ 工业电机控制与PLC模块：用于H桥驱动、风扇控制等中功率开关场合，支持快速开关（tf/tr约10ns级），降低开关损耗； ✅ LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动电路中用作PWM调光开关，响应快、可靠性高； ✅ 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准（注：FDU8876为工业级，非车规；若需车规应用，应选用ON Semi同系列AEC-Q101认证型号如FDU8876S），故更适用于车载充电器、车身控制等非安全关键场景。 该器件支持10V栅极驱动，兼容主流PWM控制器，并具备雪崩耐量（UIS）和ESD防护，增强了系统鲁棒性。综合来看，FDU8876是中大电流、中低压（VDS=60V）开关应用的理想选择，兼顾性能、尺寸与成本优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 73A I-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDU8876 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 47nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.2 毫欧 @ 35A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Ta）， 73A （Tc） |
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