Datasheet下载- 型号： FDU8870
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDU8870由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDU8870价格参考。Fairchild SemiconductorFDU8870封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDU8870参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDU8870 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDU8870 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用紧凑的SO-8封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 12.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 12 A连续，30 A脉冲）及快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于笔记本电脑、平板、机顶盒等便携式设备的板级电源管理； 2. 负载开关与电源路径管理：在USB供电、电池充电/切换电路中用作高效、低损耗的电源通断控制开关； 3. 电机驱动：适用于小型直流有刷电机（如风扇、打印机步进电机驱动中的H桥低端驱动）； 4. LED背光驱动与调光控制：作为恒流源开关或PWM调光开关，支持高效率、低发热运行； 5. 热插拔与电源保护电路：配合限流/过温保护IC，实现浪涌抑制与故障隔离。 该器件具备100%通过UIS（非钳位感性开关）测试、强雪崩耐受能力及优良的dv/dt抗扰性，适合中等功率、高可靠性要求的消费电子与工业嵌入式系统。其SO-8封装兼顾散热性与PCB布局密度，便于自动化贴装。注意：实际应用中需合理设计栅极驱动（推荐VGS ≥ 8 V以确保充分导通）及PCB铜箔散热，避免热失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDU8870 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5160pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 118nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.9 毫欧 @ 35A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 160W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 1,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Ta）， 160A （Tc） |
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