Datasheet下载- 型号： FDU8770_F071
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDU8770_F071由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDU8770_F071价格参考。Fairchild SemiconductorFDU8770_F071封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDU8770_F071参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDU8770_F071 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDU8770_F071（ON Semiconductor）是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约5.2mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID可达90A）及优良的开关特性。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率BLDC电机或步进电机的H桥驱动电路，支持高频PWM控制； - 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、显卡、基站等设备中用作高效、快速响应的主/辅电源开关； - 电池管理系统（BMS）：用于充放电回路保护开关，配合过流/短路保护IC实现可靠控制； - LED驱动与照明电源：在高亮度LED恒流驱动电路中作为调光开关或续流路径器件。 该器件具备雪崩耐量（UIS rated），增强了系统鲁棒性；符合AEC-Q101（注：FDU8770_F071为工业级，非车规；若需车规应用，应选用同系列车规型号如FDU8770-F085）。设计时需注意PCB热焊盘布局与驱动电路匹配（如栅极电阻选型），以优化开关损耗与EMI性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 35A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDU8770_F071 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3720pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 73nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 毫欧 @ 35A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 功率-最大值 | 115W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 1,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
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