Datasheet下载- 型号： FDU8580
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDU8580由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDU8580价格参考。Fairchild SemiconductorFDU8580封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDU8580参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDU8580 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDU8580 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用紧凑的 SO-8 封装（带裸露焊盘），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 3.2 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 70 A）和优异的开关性能。其典型应用场景包括： 1. DC-DC 电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流 Buck 转换器，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制模块（如风扇、泵、电动工具驱动桥臂），支持高频 PWM 开关； 3. 负载开关与电源管理：在主板、显卡、嵌入式系统中作为高效、低损耗的主电源开关或热插拔保护器件； 4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电路径控制及过流保护电路，得益于其低 RDS(on) 和强雪崩耐受能力； 5. LED 驱动与照明电源：在高效率恒流驱动器中作开关管，满足能效标准（如 Energy Star、80 PLUS）。 该器件具备 100 V 耐压、175°C 工作结温、符合 RoHS 及 AEC-Q101（部分版本）可靠性标准，兼顾工业级与车载前装/后装应用潜力。其优化的栅极电荷（Qg ≈ 52 nC）与输出电荷（Qoss）平衡了开关速度与 EMI 性能，适合中高频（100 kHz–1 MHz）工作场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDU8580 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1445pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 35A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 功率-最大值 | 49.5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
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