Datasheet下载- 型号： FDU6688
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDU6688由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDU6688价格参考。Fairchild SemiconductorFDU6688封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDU6688参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDU6688 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDU6688 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用紧凑的TSOP-6封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 22 mΩ @ VGS = 4.5 V）、高开关速度和优良的热性能。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑、TWS耳机中的负载开关、电池保护电路及DC-DC转换器（如同步降压Buck电路的下管），得益于其小尺寸与低功耗特性。 2. LED驱动与背光控制：用于中低功率LED恒流驱动或LCD/OLED显示屏背光调光开关，支持PWM高频调光且损耗低。 3. 电机驱动模块：适用于小型直流电机（如风扇、微型泵、玩具马达）的H桥或单路驱动，尤其在空间受限的消费类或IoT终端设备中。 4. USB Type-C/Power Delivery接口保护：作为VBUS开关或过流保护路径器件，配合保护IC实现快速关断与低电压降。 5. 工业与家电辅助电源：如智能插座、传感器节点、PLC模块中的隔离供电侧开关或待机电源控制。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th)低至1.0–2.2 V），兼容3.3 V/5 V MCU直接驱动；内置ESD保护与雪崩额定能力，提升系统鲁棒性。需注意PCB布局散热及栅极驱动稳定性，以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 84A I-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDU6688 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3845pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 毫欧 @ 18A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 84A （Ta） |
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