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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDU6612A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDU6612A价格参考。Fairchild SemiconductorFDU6612A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDU6612A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDU6612A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDU6612A 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用紧凑的SO-8封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 18 mΩ @ VGS = 10 V)、高开关速度和优良的热性能。其典型应用场景包括: - DC-DC电源转换:广泛用于同步降压(Buck)转换器的下管(low-side switch),尤其适用于笔记本电脑、平板、通信设备等中低压(12V输入系统)、中功率(≤15W)的高效电源管理。 - 负载开关与电源路径管理:在便携式设备中用作电池充放电路径控制、USB供电切换或系统主电源的软启动/使能开关,支持快速关断与低待机功耗。 - 电机驱动:适用于小型直流电机(如风扇、振动马达)的H桥或单路驱动电路,提供可靠开关与过流保护能力。 - LED驱动与背光控制:作为恒流源开关或PWM调光开关,用于LCD背光或指示灯控制,具备良好线性区可控性。 该器件额定电压为30V,连续漏极电流达9.5A(TC=25°C),内置ESD保护,符合RoHS标准,适合空间受限且对效率、可靠性要求较高的消费电子与工业嵌入式应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDU6612A |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.4nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 毫欧 @ 9.5A,10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
| 标准包装 | 1,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.5A (Ta), 30A (Tc) |