Datasheet下载- 型号： FDU6030BL
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDU6030BL由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDU6030BL价格参考。Fairchild SemiconductorFDU6030BL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDU6030BL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDU6030BL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDU6030BL 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 30 mΩ @ VGS = 4.5 V）、小尺寸、高开关效率和1.8V逻辑兼容栅极驱动等特点。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路及LED背光驱动，得益于其小封装与低功耗特性； 2. DC-DC转换器次级侧同步整流：在升压/降压模块中替代肖特基二极管，提升转换效率（尤其在低压大电流场合）； 3. 电机驱动与H桥控制：适用于微型直流电机（如振动马达、风扇）的单路驱动或H桥低端开关，支持PWM调速； 4. USB接口过流保护与热插拔控制：配合限流电路实现快速关断，防止反向电流及浪涌损伤； 5. 工业与IoT传感器节点电源开关：用于MCU外设供电的按需启停，降低待机功耗。 该器件额定电压为30V，连续漏极电流达3.5A（TA=25°C），具备ESD防护与雪崩耐量，适合空间受限、强调能效与可靠性的低压（≤5V系统）应用。注意设计时需合理布局PCB散热焊盘以保障热性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10A I-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDU6030BL |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1143pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 1,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta）， 42A （Tc） |
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