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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDT461N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDT461N价格参考。Fairchild SemiconductorFDT461N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDT461N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDT461N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDT461N 是 Fairchild Semiconductor(现属安森美ON Semiconductor)推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET,采用SOT-23封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值为35mΩ @ Vgs=4.5V)、低栅极电荷(Qg≈5.3nC)及快速开关特性。其额定参数为:Vds=30V,Id=4.2A(连续),脉冲电流达16A,适合低压、中电流开关应用。 典型应用场景包括: 1. 便携式电子设备电源管理:如智能手机、平板电脑中的LED背光驱动、USB接口电源开关、电池保护电路中的充放电控制开关; 2. DC-DC转换器:作为同步整流MOSFET或主开关管,用于降压(Buck)转换器的低侧开关,提升效率(尤其在3.3V/5V输入系统中); 3. 负载开关(Load Switch):配合使能控制实现板级模块供电的软启动与热插拔保护,降低浪涌电流; 4. 电机驱动与继电器替代:驱动小型直流有刷电机(如风扇、振动马达)或电磁阀,利用其逻辑电平驱动(Vgs(th)低至1.0–2.2V),可直接由MCU GPIO(3.3V/5V)驱动,无需额外驱动电路; 5. LED恒流驱动辅助开关:在多路LED调光电路中作PWM开关路径控制。 其SOT-23小尺寸、高可靠性及兼容无铅回流焊工艺,特别适用于空间受限、需高集成度的消费类和工业嵌入式系统。注意设计时应合理布局散热路径,并在高频开关应用中优化PCB寄生参数以抑制振铃。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 0.54A SOT-223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDT461N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 74pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2 欧姆 @ 540mA,10V |
| 供应商器件封装 | SOT-223-3 |
| 功率-最大值 | 1.13W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 540mA (Ta) |