Datasheet下载- 型号： FDS6688
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6688由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6688价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6688封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS6688参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS6688 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDS6688是一款N沟道逻辑电平双N沟道PowerTrench® MOSFET（实际为双通道，但常被归类于单个封装的MOSFET产品线；需注意：FDS6688是双N沟道共源结构的SO-8封装器件，非单管，但部分平台按“单个封装”归类为“MOSFET - 单个”）。其典型参数包括：VDS = 30 V，ID（连续）= 11.5 A（单通道），RDS(on)低至15 mΩ（VGS = 10 V），具备快速开关、低栅极电荷和强雪崩耐量。 主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于笔记本电脑、主板、显卡等设备的同步降压（Buck）转换器中，作为高效高侧/低侧开关； 2. 负载开关与电源管理：在便携式设备（如平板、POS机）中实现电池供电路径控制、USB端口过流保护及热插拔管理； 3. 电机驱动：适用于小型直流有刷电机（如风扇、打印机进纸机构）的H桥或半桥驱动； 4. LED背光驱动：在LCD背光升压电路中用作PWM调光开关； 5. 电池保护电路：配合保护IC实现充放电通路控制（如移动电源、电动工具电池包）。 其SO-8封装便于布局与散热，逻辑电平驱动特性（VGS(th) ≈ 1–2.5 V）支持3.3 V/5 V MCU直接驱动，降低外围电路复杂度。需注意：设计时应重视PCB铜箔散热、栅极驱动电阻匹配及米勒效应抑制，以确保可靠开关与EMI控制。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDS6688 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3888pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 毫欧 @ 16A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Ta） |
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