Datasheet下载- 型号： FDS6673AZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6673AZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6673AZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6673AZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS6673AZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS6673AZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS6673AZ 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道逻辑电平增强型功率MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅12.5 mΩ @ Vgs=4.5V）、高开关速度及优良的热性能。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于笔记本电脑、平板、机顶盒等便携式设备的板载多相VRM/VRD电源模块； 2. 负载开关与电源管理：在主板、GPU供电、USB PD接口或电池保护电路中，用作高效、低损耗的电源通断控制开关； 3. 电机驱动：适用于小功率有刷直流电机（如散热风扇、小型泵）的H桥或半桥驱动中的低侧开关； 4. LED驱动与背光控制：在液晶显示器（LCD）背光驱动电路中作为PWM调光开关，支持高频、低发热运行； 5. 工业与消费类嵌入式系统：如智能电表、安防摄像头、IoT终端等对能效、尺寸和可靠性要求较高的场景。 该器件支持逻辑电平驱动（兼容3.3V/5V MCU GPIO直接驱动），具备雪崩耐量（UIS rated），内置ESD保护，符合RoHS标准，适合高密度PCB布局。需注意合理设计栅极驱动与PCB散热路径以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDS6673AZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4480pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 118nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.2 毫欧 @ 14.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14.5A （Ta） |
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