Datasheet下载- 型号： FDS6575
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6575由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6575价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6575封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS6575参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS6575 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS6575 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括： 1. 开关电源 (SMPS)： FDS6575 具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以高效地控制电流的通断，降低功耗并提高系统效率。 2. 电机驱动： 该器件常用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。通过 PWM（脉宽调制）信号控制 FDS6575 的开关状态，可以实现对电机速度和方向的精确调节。 3. 负载开关： 在便携式设备（如手机、平板电脑等）中，FDS6575 可用作负载开关，用于动态管理不同模块的供电状态，从而延长电池寿命。 4. 电池保护电路： 它可用于锂电池或其他可充电电池的保护电路中，防止过充、过放或短路等问题。通过快速切断电流路径，保护电池和相关电路免受损害。 5. DC-DC 转换器： 在降压或升压 DC-DC 转换器中，FDS6575 可作为主开关元件，帮助实现高效的电压转换。其低导通电阻有助于减少能量损耗。 6. LED 驱动： 该 MOSFET 可用于 LED 照明系统的驱动电路中，通过调节占空比来控制 LED 的亮度，同时保持较高的能效。 7. 汽车电子： 在汽车应用中，例如车窗升降器、雨刷器或座椅调节系统中，FDS6575 可作为功率开关，提供可靠且高效的性能。 8. 工业控制： 它适用于各种工业自动化设备中的信号放大、功率控制和接口驱动等功能，满足高可靠性要求。 总之，FDS6575 凭借其优异的电气特性和紧凑的封装形式（SOT-23 封装），广泛应用于消费电子、通信设备、汽车电子及工业控制等领域，为设计人员提供了灵活且高效的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 10A SO-8MOSFET SO-8 P-CH -20V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS6575PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS6575 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 78 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4951pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 74nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 毫欧 @ 10A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | FDS6575-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 196 ns |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 57 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta） |
| 系列 | FDS6575 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | FDS6575_NL |
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