Datasheet下载- 型号： FDS6162N7
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6162N7由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6162N7价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6162N7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS6162N7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS6162N7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS6162N7 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 15 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 9.5 A连续，30 A脉冲）及快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于笔记本电脑、平板、机顶盒等便携式设备的主板VRM模块，配合控制器实现高效、紧凑的电压调节。 2. 负载开关与电源管理：在电池供电系统中用作主电源通断控制（如USB端口电源开关、背光LED驱动电源使能），利用其低RDS(on)减小压降和功耗，提升能效。 3. 电机驱动电路：适用于小型直流电机（如风扇、微型泵）的H桥或单向驱动中的开关元件，支持PWM调速，兼顾响应速度与热稳定性。 4. LED照明驱动：在恒流LED驱动器中作为电流调节开关，满足中小功率LED灯条或智能照明模块对效率与尺寸的要求。 该器件具备100%经过UIS（非钳位感应开关）测试，具备较强雪崩耐受能力，适合存在感性负载或电压瞬变的工业与消费类应用。需注意PCB布局散热设计（建议敷设足够铜面积）以确保持续大电流下的可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDS6162N7 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5521pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 73nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.5 毫欧 @ 23A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | FDS6162N7DKR |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 23A （Ta） |
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