Datasheet下载- 型号： FDS3601
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS3601由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS3601价格参考。Fairchild SemiconductorFDS3601封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS3601参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS3601 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS3601 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道逻辑电平PowerTrench® MOSFET阵列，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为25 mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性及高可靠性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：常用于同步降压（Buck）转换器的上下管驱动，尤其适用于笔记本电脑、平板电脑及通信设备中的多相VRM模块，提升转换效率并减小散热需求。 2. 负载开关与电源管理：在便携式设备中用作主电源/外设供电的双路独立控制开关，支持热插拔、浪涌电流抑制及系统级电源时序控制。 3. 电机驱动电路：适用于小型直流有刷电机或步进电机的H桥驱动（需搭配外部驱动逻辑），常见于打印机、POS终端、智能家电等低功耗运动控制场景。 4. LED背光与RGB驱动：在LCD背光升压电路中作为同步整流开关，或用于LED电流调节的PWM开关路径，兼顾效率与EMI性能。 5. 电池保护与充放电管理：在锂电池保护板或多节电池包中，实现充放电路径的双向控制与过流保护功能。 该器件支持3.3V/5V逻辑电平直接驱动，无需额外驱动IC，简化设计；内置ESD保护及雪崩额定能力，增强系统鲁棒性。广泛应用于消费电子、工业控制、网络设备及汽车信息娱乐系统（符合AEC-Q101非车规级应用，部分设计可拓展至车载辅助系统）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 100V 1.3A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDS3601 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 153pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 480 毫欧 @ 1.3A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.3A |
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