Datasheet下载- 型号： FDS2170N7
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS2170N7由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS2170N7价格参考。Fairchild SemiconductorFDS2170N7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS2170N7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS2170N7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS2170N7 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅15mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性及高可靠性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于笔记本电脑、平板、通信设备等中低压（5–12V输入）、中等电流（≤10A）的高效电源管理模块。 2. 负载开关与电源路径管理：在便携式设备中用作电池供电系统或USB供电路径的智能开关，支持热插拔、过流保护及低功耗待机控制。 3. 电机驱动：适用于小型直流有刷电机（如风扇、打印机步进电机驱动中的H桥下臂）、LED背光驱动等中小功率驱动电路。 4. 计算与消费电子板级应用：常见于主板VRM、GPU供电、SSD电源管理、智能音箱及IoT终端的板载电源分配网络（PDN）中，满足逻辑电平驱动（兼容3.3V/5V MCU GPIO直接驱动）需求。 该器件具备良好的ESD防护能力（HBM ≥2kV）和结温范围（-55°C ~ +150°C），适合空间受限且对能效、响应速度有要求的紧凑型设计。注意实际应用中需合理设计PCB散热焊盘及栅极驱动阻抗，以确保稳定开关与温升控制。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDS2170N7 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1292pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 128 毫欧 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | FDS2170N7DKR |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
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