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- 型号： FDR858P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDR858P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDR858P价格参考。Fairchild SemiconductorFDR858P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDR858P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDR858P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDR858P 是一款 P 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，由 ON Semiconductor（安森美）生产（注：品牌“-”可能为信息缺失，实际品牌为 ON Semiconductor）。其典型参数包括：VDS = –40 V，ID = –4.5 A（连续），RDS(on) ≈ 48 mΩ（@ VGS = –4.5 V），具备低导通电阻、快速开关特性及内置ESD保护。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、蓝牙模块）中的负载开关，实现系统上电/断电控制与功耗优化； 2. 电池保护电路：在锂电池充电/放电路径中作反向电流阻断或充放电切换开关（如电池电量计或保护板中的充放电MOS）； 3. DC-DC转换器：作为同步整流管或高边开关，提升降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）转换效率； 4. LED驱动与背光控制：用于中小功率LED的PWM调光开关，支持逻辑电平（3.3 V/5 V）直接驱动，无需额外驱动IC； 5. 工业与IoT节点：在低功耗传感器节点、PLC输入/输出模块中用作隔离式电源开关或信号通断控制。 该器件采用SOT-23-6封装，体积小、热性能优，适合空间受限的高密度PCB设计。需注意其P沟道特性适用于高侧开关（源极接电源），且应用时应合理设计栅极驱动与瞬态保护（如加RC缓冲或TVS），以避免开关振荡或过压损坏。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDR858P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2010pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19 毫欧 @ 8A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SSOT |
| 其它名称 | FDR858PDKR |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SSOT，SuperSOT-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Ta） |
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