Datasheet下载- 型号： FDR8508P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDR8508P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDR8508P价格参考。Fairchild SemiconductorFDR8508P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDR8508P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDR8508P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDR8508P 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为24mΩ @ Vgs = –4.5V）、逻辑电平驱动（–1.8V阈值电压）、ESD保护及高可靠性等特点。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：常用于便携式设备（如智能手机、平板电脑、TWS耳机）中的负载开关或电池保护电路，实现主/辅电源切换、反向电流阻断及系统级电源域隔离。 2. H桥或半桥驱动：作为同步整流或低端开关配合N-MOSFET使用，在小型直流电机驱动（如风扇、微型泵）、LED背光调光及DC-DC转换器（如Buck降压拓扑的续流路径）中提升效率。 3. 热插拔与浪涌保护：集成于USB接口、Type-C端口或板级热插拔电路中，提供过流/短路保护和软启动控制，防止上电冲击。 4. 工业与消费类控制：适用于PLC模块、智能电表、家电（如空调控制板、洗衣机电机驱动）中的低压侧功率开关，满足AEC-Q101兼容性要求（部分批次），亦可用于汽车电子辅助系统（非安全关键应用）。 该器件支持–55°C至+150°C宽温工作，具备100%雪崩额定能力，适合空间受限、需双路独立控制且强调能效与可靠性的中低功率（<2A连续电流）场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 3A SSOT-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDR8508P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 52 毫欧 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SSOT |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SSOT，SuperSOT-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A |
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