Datasheet下载- 型号： FDR842P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDR842P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDR842P价格参考。Fairchild SemiconductorFDR842P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDR842P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDR842P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDR842P 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款 P 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 SOT-23 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 65 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 5.5 nC）及快速开关特性。其额定电压为 –20 V，连续漏极电流为 –4.8 A（TA = 25°C），适合低压、中等电流的开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 负载开关：常用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、蓝牙模块）中的电源域管理，实现对背光LED、传感器、USB接口等外设的高效启停控制，降低待机功耗； ✅ 电池保护与反向电流阻断：在单节锂离子/聚合物电池供电系统中，作为充电路径或电源路径中的反向阻断开关（如防止电池向USB端倒灌电流）； ✅ H桥驱动的上桥臂（配合N-MOSFET）：在小型直流电机驱动（如微型风扇、振动马达）中，与N沟道MOSFET组成半桥结构，实现方向与PWM调速控制； ✅ 电平转换与逻辑接口驱动：因支持逻辑电平驱动（–1.8 V 至 –4.5 V 即可充分导通），适用于与3.3 V/1.8 V MCU（如STM32、nRF52系列）直接连接，无需额外驱动电路。 其小尺寸、高可靠性及AEC-Q101兼容性（部分批次）也使其适用于汽车电子中的车身控制模块（如车灯控制、座椅调节）等严苛环境。需注意设计时合理布局散热路径，并添加栅极下拉电阻以避免误开启。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDR842P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5350pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 11A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SSOT |
| 其它名称 | FDR842PDKR |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SSOT，SuperSOT-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FDR842P 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商