Datasheet下载- 型号： FDR840P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDR840P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDR840P价格参考。Fairchild SemiconductorFDR840P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDR840P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDR840P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDR840P 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款P沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为0.055Ω @ Vgs = –4.5V）、小尺寸、高开关速度及兼容3.3V/5V逻辑驱动等特性。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中的负载开关（Load Switch），实现对后级电路的上电/断电控制，降低待机功耗； 2. 电池保护电路：在单节锂离子/聚合物电池系统中，作为充电/放电路径的反向阻断开关或电池备份切换开关； 3. DC-DC转换器辅助开关：在同步降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑中，用作自举电路或辅助侧开关（尤其适用于低电流、空间受限设计）； 4. LED驱动与背光控制：驱动小型LED灯组或OLED显示屏背光，实现PWM调光； 5. 接口保护与电平转换：配合其他器件实现I²C、GPIO等信号线的双向电平位移或过流隔离。 因其SOT-23封装和逻辑电平驱动能力，特别适合空间敏感、低功耗、需直接由MCU GPIO驱动的嵌入式应用。但需注意其额定电压为–20V，连续漏极电流仅–4.5A（Tc=25℃），不适用于高压或大电流主功率开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDR840P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4481pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 毫欧 @ 10A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SSOT |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SSOT，SuperSOT-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta） |
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