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  • 型号: FDR836P
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDR836P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDR836P价格参考。Fairchild SemiconductorFDR836P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDR836P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDR836P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDR836P 是安森美(ON Semiconductor)推出的P沟道增强型MOSFET,采用SOT-23封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 42 mΩ @ VGS = −4.5 V)、低栅极电荷(Qg ≈ 5.5 nC)及快速开关特性。其额定电压为−30 V,连续漏极电流达−4.5 A(TA = 25°C),适合中低功率、空间受限的便携式与嵌入式应用。

典型应用场景包括:  
1. 电源管理:用作负载开关(Load Switch),实现USB端口、电池供电模块等的电源通断控制,支持低功耗待机与快速响应;  
2. 电池保护电路:在单节锂离子/锂聚合物电池组中,配合保护IC实现充放电回路的反向阻断(如防止电池反接或过放时的体二极管导通);  
3. DC-DC转换器:作为同步降压(Buck)拓扑中的高边或低边开关(常用于小功率DC-DC模块或LDO后级稳压);  
4. 电机驱动:适用于微型直流电机(如风扇、振动马达)的H桥或单路驱动中的高端开关;  
5. LED驱动与背光控制:用于PWM调光电路中的电流路径开关,提升能效与响应速度。

其SOT-23小尺寸、无铅兼容及AEC-Q101可选版本,亦支持部分车载信息娱乐或车身电子辅助模块(非主安全系统)。需注意设计时合理布局PCB散热焊盘,并确保栅极驱动电压满足阈值要求(VGS(th) ≈ −1.0 ~ −2.5 V),以保障可靠导通与低损耗。
产品参数 图文手册 常见问题
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