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- 型号： FDR8305N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDR8305N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDR8305N价格参考。Fairchild SemiconductorFDR8305N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDR8305N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDR8305N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDR8305N 是一款由 Fairchild（现属 ON Semiconductor）推出的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，采用 SOP-8 封装，具有低导通电阻（Rds(on) ≈ 28 mΩ @ Vgs=10V）、高开关速度和内置ESD保护等特性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC 电源转换：常用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），与高端MOSFET或控制器配合，提升效率与功率密度，适用于笔记本电脑、平板电源管理模块等。 2. 负载开关与电源路径管理：在便携式设备中控制外设供电（如USB接口、SD卡、背光LED驱动），实现快速启停、过流保护及热插拔支持。 3. 电机驱动电路：适用于小功率直流电机（如风扇、振动马达）的H桥半边驱动或单向PWM调速控制，尤其适合空间受限的消费类电子产品。 4. 电池保护与充放电管理：集成于锂电池保护板或充电IC外围电路，用于充放电通路控制及过流/短路保护。 5. LED 驱动与背光控制：作为恒流源开关或PWM调光开关，驱动多路LED背光（如显示器、键盘背光）。 该器件因双MOSFET集成、小封装及优良热性能，广泛应用于对成本、尺寸和能效有要求的中低功率嵌入式系统与消费电子领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V 4.5A SSOT-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDR8305N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1600pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SSOT |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SSOT，SuperSOT-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A |
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