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- 型号： FDP2710_F085
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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FDP2710_F085产品简介：
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FDP2710_F085 是安森美（ON Semiconductor）推出的双N沟道增强型功率MOSFET阵列，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅1.9mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=140A）及优异的热性能。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于中大功率有刷/无刷直流电机控制（如电动工具、风扇、泵类），双管结构便于H桥或半桥拓扑设计； 3. 负载开关与电源管理：在高电流配电模块中用作主电源开关或OR-ing器件，支持快速关断与过流保护； 4. UPS与逆变系统：作为逆变桥臂开关元件，配合驱动IC实现高效AC输出； 5. 汽车电子辅助系统：满足AEC-Q101认证（注：需确认具体批次是否通过，FDP2710系列有车规版本），可用于车载充电机、电池管理系统（BMS）的功率开关。 该器件集成度高、寄生参数低，配合优化的PCB布局可显著减小系统体积与EMI。实际应用中需注意栅极驱动强度、散热设计及SOA（安全工作区）限制，建议搭配安森美推荐驱动器（如NCV8402）以确保可靠开关。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 4A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDP2710_F085 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5690pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 101nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 47毫欧 @ 50A， 10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 403W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
