Datasheet下载- 型号： PTVS6V0S1UR,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTVS6V0S1UR,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTVS6V0S1UR,115价格参考。NXP SemiconductorsPTVS6V0S1UR,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PTVS6V0S1UR,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTVS6V0S1UR,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PTVS6V0S1UR,115 是 NXP USA Inc. 推出的单向TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于电路的静电放电（ESD）和瞬态过压保护。其击穿电压典型值为6.0 V，钳位电压低（如10 A时约11.2 V），响应时间小于1 ns，具备IEC 61000-4-2 Level 4（±15 kV接触放电）的高ESD防护能力。 典型应用场景包括： - USB接口保护：用于USB 2.0/3.0数据线（D+/D−）及电源线（VBUS），防止插拔、热插拔或人体静电引入的瞬态干扰； - HDMI/DisplayPort等高速信号线保护：在电视、机顶盒、显示器等消费电子设备中，保护视频接口免受ESD冲击； - 电源输入端口防护：如5 V供电轨（如STB、智能电视主板的+5 V电源输入），抑制浪涌与开关噪声； - 工业控制与汽车电子辅助系统：适用于车载信息娱乐系统（IVI）、Tuner模块、遥控接收器等对尺寸与可靠性要求高的低压信号路径； - 便携式设备接口：如遥控器红外接收、按键、LED指示灯等易受ESD影响的弱电节点。 该器件采用SOD123超小型表面贴装封装（尺寸2.7×1.7×1.2 mm），适合高密度PCB布局；无铅、符合RoHS与AEC-Q200（部分批次）标准，兼顾消费类与车规级应用需求。其低漏电流（<1 µA @ 5 V）和稳定参数特性，确保不影响被保护电路正常工作。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 6VWM 10.3VC SOD123WTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS DIODE PROTECT Diode |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,NXP Semiconductors PTVS6V0S1UR,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PTVS6V0S1UR,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | SOD123W |
| 其它名称 | 568-6771-1 |
| 击穿电压 | 7.02 V |
| 功率-峰值脉冲 | 400W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123W |
| 封装/箱体 | SOD-123W |
| 尺寸 | 1.9 (Max) mm W x 2.8 mm L |
| 峰值浪涌电流 | 38.8 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 400 W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C （TA） |
| 工作电压 | 6 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 6.67V |
| 电压-反向关态（典型值） | 6V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 10.3V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 38.8A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | PTVSxS1UR |
| 钳位电压 | 10.3 V |
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