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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PTVS6V0S1UR,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTVS6V0S1UR,115价格参考。NXP SemiconductorsPTVS6V0S1UR,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PTVS6V0S1UR,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PTVS6V0S1UR,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PTVS6V0S1UR,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 TVS(瞬态电压抑制)二极管,主要用于电路中的过电压保护。该器件具有快速响应时间和高浪涌吸收能力,适用于需要对敏感电子设备进行有效保护的场景。 该型号的典型应用场景包括: 1. 通信接口保护:用于保护 USB、HDMI、以太网等高速通信接口,防止静电放电(ESD)和瞬态电压对芯片造成损坏。 2. 消费类电子产品:广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备中,保护内部电路免受静电和外部电压冲击。 3. 工业控制系统:在工业自动化设备中,用于保护传感器、PLC 和通信模块,提升系统稳定性和可靠性。 4. 汽车电子系统:可应用于车载电子设备,如信息娱乐系统、控制模块等,提供对瞬态电压和静电的保护。 5. 电源管理电路:用于低压电源线路的保护,防止因电压突变导致的系统故障。 综上所述,PTVS6V0S1UR,115 凭借其高性能和小型封装,适用于多种对空间和保护性能有要求的应用场合,是现代电子系统中常用的保护器件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 6VWM 10.3VC SOD123WTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS DIODE PROTECT Diode |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,NXP Semiconductors PTVS6V0S1UR,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PTVS6V0S1UR,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | SOD123W |
| 其它名称 | 568-6771-1 |
| 击穿电压 | 7.02 V |
| 功率-峰值脉冲 | 400W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123W |
| 封装/箱体 | SOD-123W |
| 尺寸 | 1.9 (Max) mm W x 2.8 mm L |
| 峰值浪涌电流 | 38.8 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 400 W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TA) |
| 工作电压 | 6 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 6.67V |
| 电压-反向关态(典型值) | 6V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 10.3V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 38.8A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | PTVSxS1UR |
| 钳位电压 | 10.3 V |