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- 型号： FDMJ1032C
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMJ1032C由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMJ1032C价格参考。Fairchild SemiconductorFDMJ1032C封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDMJ1032C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMJ1032C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMJ1032C 是安森美（onsemi）推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列（采用SOT-723封装），具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅190mΩ @ Vgs=4.5V）、小尺寸、高开关速度和ESD保护等特性。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的LED背光驱动、摄像头模块电源开关及负载开关，利用其低静态电流与快速响应支持高效启停控制； 2. 电池供电系统保护与切换：在双电池冗余供电、USB-C接口电源路径管理中，实现反向电流阻断、热插拔保护及电源自动切换； 3. DC-DC转换器同步整流：适用于小型升压/降压模块（如PMIC外围电路），提升转换效率并减小PCB面积； 4. 电机与执行器微驱动：用于微型振动马达、电磁阀或光学防抖（OIS）线圈的H桥简易驱动（需外置驱动逻辑），满足低功耗与空间受限需求； 5. IoT传感器节点接口：作为I²C/SPI外设的上电时序控制、传感器使能开关或EEPROM电源隔离，保障系统可靠启动与低待机功耗。 该器件不适用于大电流（持续ID > 0.5A）或高压（Vds > 20V）场景，设计时需注意散热与栅极驱动匹配。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH DUAL 20V SC75 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDMJ1032C |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 270pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 3.2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-75， MicroFET |
| 其它名称 | FDMJ1032CDKR |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WFDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A，2.5A |
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