Datasheet下载- 型号： FDMC8676
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC8676由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC8676价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC8676封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDMC8676参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMC8676 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMC8676 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能双N沟道功率MOSFET（采用PowerTrench®与SyncFET™技术），采用紧凑的6引脚 Power33 封装（3.3 mm × 3.3 mm），具有超低导通电阻（Rds(on)典型值：1.9 mΩ @ Vgs=10V，4.5 mΩ @ Vgs=4.5V）和优化的栅极电荷，适用于高效率、高密度电源设计。 主要应用场景包括： ✅ DC-DC同步降压转换器：常作为下管（low-side FET）与高端控制器（如NCP3120、NCP3232等）配合，用于服务器/通信设备的POL（Point-of-Load）电源、GPU/CPU供电模块； ✅ 负载点（POL）电源与VRM（电压调节模块）：凭借低Rds(on)与优异热性能，满足AI加速卡、FPGA、ASIC等大电流（可达40A+持续）应用对能效与温升的严苛要求； ✅ 高效适配器与USB PD快充方案：在次级同步整流或次级侧DC-DC级中提升整体效率； ✅ 工业与网络设备电源：如基站PA供电、光模块电源、PLC电源等需高可靠性与高温稳定性的场景（工作结温达150°C）。 其集成肖特基体二极管特性（SyncFET™）可降低反向恢复损耗，提升轻载效率；无铅、符合RoHS，支持自动光学检测（AOI）——是中高功率、空间受限型数字电源系统的优选单颗MOSFET解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 16A POWER33 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDMC8676 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1935pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.9 毫欧 @ 14.7A，10V |
| 供应商器件封装 | Power33 |
| 其它名称 | FDMC8676DKR |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PQFN，Power33 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Ta）， 18A （Tc） |
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