Datasheet下载- 型号： FDM606P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDM606P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDM606P价格参考。Fairchild SemiconductorFDM606P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDM606P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDM606P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDM606P 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用SOT-23-6封装（含双芯片，但作为单个独立器件使用），具有低导通电阻（Rds(on)典型值为85mΩ @ Vgs = –4.5V）、小尺寸、高开关速度和逻辑电平驱动能力（–1.8V阈值电压）。 其典型应用场景包括： ✅ 负载开关：常用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中的电源管理，控制外设供电的启停，实现低功耗待机与快速唤醒； ✅ 电池保护电路：在锂电池充电/放电路径中作反向电流阻断或充放电开关，防止过放或反向充电； ✅ DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）转换器中作为同步整流管（尤其适用于低压输入、小功率场景），提升效率； ✅ H桥驱动中的上臂开关（配合N-MOSFET使用）：适用于微型电机驱动（如振动马达、小型风扇）等低电流（ID ≤ 1.5A连续）场合； ✅ LED驱动与背光控制：用于OLED/LCD屏幕的区域调光或电源通断控制。 需注意：FDM606P为P沟道器件，适合高侧开关应用，驱动简单（低电平导通），但不适用于大电流或高功率场景（最大连续漏极电流ID = –1.5A，功率耗散PD ≈ 0.5W）。设计时应关注PCB散热及栅极驱动稳定性。 综上，该器件主要面向空间受限、中低功率、高能效要求的消费类电子与便携式电源管理系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDM606P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2200pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 6.8A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-MLP，MicroFET（3x2） |
| 功率-最大值 | 1.92W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-MLP，MicroFET™ |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.8A （Tc） |
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