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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FDM21-05QC
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDM21-05QC由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDM21-05QC价格参考。IXYSFDM21-05QC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDM21-05QC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDM21-05QC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDM21-05QC 是安森美（onsemi）推出的高性能、小尺寸双N沟道功率MOSFET（采用紧凑型Dual Cool™ PQFN 3×3 mm封装），虽常被归类为“单个”器件，实为集成两个独立优化的N沟道MOSFET的单芯片解决方案。其典型应用聚焦于高效率、高密度的中低功率电源管理场景： 1. 同步降压转换器（Buck Converter）：作为上下管（High-side + Low-side），广泛用于DC-DC电源模块、GPU/CPU供电（VRM）、通信设备板载电源等，凭借低导通电阻（RDS(on)典型值：上管7.5mΩ / 下管5.0mΩ @ VGS=10V）和优异热性能，显著提升转换效率与功率密度。 2. 负载开关与电源路径管理：在便携式设备（如平板、POS终端、工业HMI）中，用于智能电源分配、电池充放电路径切换及系统级电源时序控制。 3. 电机驱动与LED驱动：适用于小型直流无刷电机（BLDC）预驱、步进电机H桥半桥驱动，以及中功率LED恒流驱动电路中的PWM开关单元。 4. 热插拔与eFuse保护电路：利用其快速开关特性与内置ESD保护，实现过流/短路保护功能。 需注意：该器件非传统分立单管，而是高度集成的双通道方案，设计时应参考官方数据手册进行PCB热设计与驱动匹配（推荐10V栅极驱动）。不适用于高压（>30V母线）、大电流（持续>15A）或线性区放大等场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDM21-05QC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 95nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 220 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS i4-PAC™ |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | i4-Pac™-5 |
| 标准包装 | 24 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Tc） |
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