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- 型号： FDM100-0045SP
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDM100-0045SP由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDM100-0045SP价格参考。IXYSFDM100-0045SP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDM100-0045SP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDM100-0045SP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDM100-0045SP 是一款由安森美（onsemi）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5×6封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅0.45mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID高达100A）和优异的热性能。其主要应用场景包括： 1. 服务器与数据中心电源：用于CPU/GPU供电的同步整流BUCK转换器中，作为下管（low-side switch），提升效率与功率密度； 2. 通信设备电源模块：在5G基站、光模块电源等高可靠性、高效率DC-DC变换器中承担主开关或整流功能； 3. 工业电源与POL（负载点）转换器：适用于大电流、低压输出（如0.8–3.3V）场景，满足快速瞬态响应与低损耗需求； 4. 电动工具与电池管理系统（BMS）：在高倍率充放电路径中用作保护开关或主动均衡开关，得益于其低Rds(on)和强短路耐受能力。 该器件支持10V驱动，兼容主流PWM控制器，并具备无铅、符合RoHS标准及AEC-Q101可靠性认证（部分版本），亦适用于严苛工况下的高可靠性应用。需注意：实际使用中应优化PCB布局（如加粗源极走线、多过孔散热）、匹配栅极驱动强度，并确保充分散热（建议搭配铜箔铺铜或散热焊盘）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDM100-0045SP |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.2 毫欧 @ 80A，10V |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS i4-PAC™ |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | i4-Pac™-5 |
| 标准包装 | 48 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
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