Datasheet下载- 型号： FDJ129P_F077
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDJ129P_F077由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDJ129P_F077价格参考。Fairchild SemiconductorFDJ129P_F077封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDJ129P_F077参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDJ129P_F077 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDJ129P_F077 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约180mΩ @ Vgs = –4.5V）、小尺寸、高开关效率等特点。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关或电池保护电路，用于实现低功耗关断与快速响应； - DC-DC转换器的同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑中作为同步整流管，提升转换效率（尤其适用于低电压输出场景）； - LED驱动与背光控制：用于中小功率LED的电流开关与调光控制，支持PWM高频驱动； - 工业与消费类IoT终端的板级电源分配：如MCU外围供电的使能控制、传感器模块的供电隔离等； - H桥或半桥驱动中的高边/低边开关（需配合驱动设计），适用于微型电机（如振动马达）、电磁阀等低压直流负载控制。 该器件额定电压为–20V，连续漏极电流–2.9A（Tc=25℃），具备ESD防护和雪崩耐受能力，适合空间受限、强调能效与可靠性的低压（≤5V系统）应用。注意：实际设计中需关注PCB散热、栅极驱动强度及寄生参数影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDJ129P_F077 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 780pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 4.2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC75-6 FLMP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.2A （Ta） |
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