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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FDI040N06
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDI040N06由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDI040N06价格参考。Fairchild SemiconductorFDI040N06封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDI040N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDI040N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDI040N06 是由安森美（onsemi，原Fairchild Semiconductor，FSC为其旧标品牌）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用PowerTrench®技术，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅4.0 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=120A）及优异的开关性能。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换器：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST电路，提升效率并降低温升； ✅ 电机驱动系统：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制器、电动工具、无人机电调等，支持高频PWM驱动与快速关断； ✅ 电池管理系统（BMS）：用作充放电主回路保护开关或均衡开关，凭借低Rds(on)减小功耗与发热； ✅ 负载开关与热插拔电路：内置ESD保护与强雪崩耐量，适合板级电源上电管理及过流保护； ✅ LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动中作为开关器件，实现高效调光与可靠启停。 该器件采用TO-252（DPAK）封装，兼顾散热性与贴片工艺兼容性，工作结温范围达–55°C至+175°C，适用于严苛工业与汽车后装环境（非AEC-Q101认证，故不推荐用于前装车规主系统）。 综上，FDI040N06以高性能、高可靠性与成熟量产优势，成为中大电流、中低压（60V）开关应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDI040N06 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8235pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 133nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 231W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
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