Datasheet下载- 型号： FDI025N06
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDI025N06由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDI025N06价格参考。Fairchild SemiconductorFDI025N06封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDI025N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDI025N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDI025N06 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的TrenchFET®技术，具有超低导通电阻（RDS(on)典型值仅2.5 mΩ @ VGS=10V）、高电流能力（ID达120A）及优良的开关性能。其封装为TO-252（DPAK），兼顾散热性与PCB空间效率。 主要应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； ✅ 电机驱动：适用于中小功率BLDC电机控制（如风扇、泵、电动工具）的H桥或半桥驱动级，支持高频PWM调制； ✅ 电池管理系统（BMS）：用作充放电保护开关或均衡电路中的主控MOSFET，凭借低RDS(on)减少功耗与发热； ✅ LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动电路中作为开关器件，实现高效调光与可靠过流保护； ✅ 负载开关与热插拔电路：利用其快速开关特性与内置ESD保护，满足板级电源管理需求。 该器件支持10V标准驱动，亦兼容4.5V逻辑电平（RDS(on)≈3.8 mΩ），适配主流MCU/PWM控制器。其坚固的雪崩耐量（UIS额定）和符合AEC-Q101（部分版本）的可靠性设计，也使其可拓展至汽车电子辅助系统（如车身控制模块）。 综上，FDI025N06适用于对效率、功率密度和可靠性要求较高的中大电流开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 265A TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDI025N06 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14885pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 226nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 功率-最大值 | 395W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 265A （Tc） |
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