Datasheet下载- 型号： FDFS6N303
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDFS6N303由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFS6N303价格参考。Fairchild SemiconductorFDFS6N303封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDFS6N303参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDFS6N303 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDFS6N303 是安森美（ON Semiconductor）推出的单通道N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的TrenchFET®技术，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.0mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID可达120A）及优化的开关性能。其封装为PowerTDFN 5×6mm，具备优异的热性能与小型化优势。 该器件主要应用于中高功率、高频开关场景，包括： ✅ DC-DC电源转换：如服务器/通信设备中的同步降压（Buck）转换器主开关管或同步整流管； ✅ 电机驱动：用于无刷直流（BLDC）电机控制器的半桥/全桥下管，支持高效PWM调速； ✅ 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、工业PLC、基站电源模块中作热插拔保护、电源轨切换或电池保护电路； ✅ LED照明驱动：适用于大功率LED恒流驱动的开关调节环节； ✅ 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（需确认具体批次），可用于车载DC-DC、座椅/车窗控制等非安全关键应用。 其低Qg与快速开关特性有助于降低开关损耗，提升系统效率；而宽安全工作区（SOA）和内置ESD保护增强了鲁棒性。设计时需注意PCB散热布局与栅极驱动匹配（推荐10–15V驱动电压），以充分发挥性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDFS6N303 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDFS6N303DKR |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Ta） |
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