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- 型号： FDD8586
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD8586由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD8586价格参考￥1.47-￥1.47。Fairchild SemiconductorFDD8586封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD8586参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD8586 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD8586 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为4.5 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=75A连续，脉冲达280A）及优良的开关性能。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； ✅ 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥或半桥驱动电路，如电动工具、风扇控制、打印机等； ✅ 负载开关与电源管理：作为高效电子保险丝、热插拔保护或电池供电系统的主开关，支持快速关断和过流保护； ✅ LED照明驱动：用于大功率LED恒流驱动电路中的PWM调光开关管； ✅ 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（注：FDD8586本身为标准工业级，非车规；若需车规应用，应选用其车规衍生型号如NVFDD8586），但常用于车载充电器、逆变器等非安全关键子系统。 该器件具备雪崩耐量（UIS）能力强、栅极电荷低（Qg≈95 nC）、开关速度快等特点，适合高频（数十kHz至数百kHz）、中高压（Vds=60V）中大电流场合。设计时建议配合优化PCB布局、合理选配驱动电阻与栅极电压（推荐10–15V驱动），以充分发挥其性能并确保可靠运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 35A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDD8586 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2480pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.5 毫欧 @ 35A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FDD8586DKR |
| 功率-最大值 | 77W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
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