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Datasheet下载- 型号： FDD8424H
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD8424H由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD8424H价格参考￥3.67-￥3.67。Fairchild SemiconductorFDD8424H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD8424H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD8424H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD8424H是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道MOSFET阵列器件，采用双芯片封装，具有低导通电阻和高效率特性。该器件主要应用于需要高效功率转换与空间紧凑设计的场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于DC-DC转换器、同步整流电路中，提升电源转换效率，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块。 2. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机驱动电路中，FDD8424H可提供快速开关响应和低功耗运行，常见于打印机、扫描仪等办公自动化设备。 3. 负载开关与电源开关：因其低导通电阻（RDS(on)）和高电流能力，适合用作高边或低边开关，控制电源通断，应用于便携式设备如平板电脑和智能终端。 4. 热插拔电路：可用于电信和工业系统中的热插拔控制器，防止浪涌电流损坏系统。 5. 电池供电设备：在电池管理系统（BMS）或移动电源中，实现高效的充放电控制。 FDD8424H具备优良的热性能和可靠性，符合RoHS环保标准，适合在工业控制、消费电子和通信基础设施等领域中对能效和空间要求较高的设计。其封装形式有利于简化PCB布局，提高整体系统稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET DUAL N/P-CH 40V TO252-4LMOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD8424HPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDD8424H |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 24 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 24 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns, 3 ns |
| 下降时间 | 6 ns, 3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24 毫欧 @ 9A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252-4L |
| 其它名称 | FDD8424HCT |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns, 20 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 封装/箱体 | DPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 29 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A，6.5A |
| 系列 | FDD8424H |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Common Drain |
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