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  • 型号: FDD6N50RTF
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6N50RTF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD6N50RTF价格参考。Fairchild SemiconductorFDD6N50RTF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDD6N50RTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD6N50RTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDD6N50RTF 是 Fairchild Semiconductor(现属安森美半导体 ON Semiconductor)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET 单管(注意:虽常被误归为“阵列”,但该型号实为单通道TO-252(DPAK)封装器件,并非多芯片阵列;其数据手册明确标注为“Single N-Channel Logic-Level MOSFET”)。  

典型应用场景包括:  
- 开关电源(SMPS):用作主开关管,适用于AC-DC适配器、PC ATX电源、LED驱动电源等,支持500V耐压与6A连续电流,兼顾效率与成本。  
- 电机控制:在小型直流无刷电机(BLDC)或步进电机驱动电路中作为H桥上/下臂开关,尤其适合12–24V低压系统(因逻辑电平驱动,可直接由MCU GPIO驱动)。  
- 负载开关与电源管理:用于板级电源的热插拔保护、电池供电设备的电源通断控制,具备低导通电阻(Rds(on) ≈ 1.4Ω @ Vgs=10V),减少功耗。  
- 逆变器与UPS:在中小功率离线式逆变模块中承担DC-AC转换开关功能。  

优势在于:逻辑电平驱动(Vgs(th)低至2–4V)、雪崩额定能力(UIS)、符合RoHS且具备良好的dv/dt抗扰性,适合高可靠性工业及消费类应用。需注意其非“阵列”器件,若需双MOSFET方案,应选用如FDMC8026S等真正双N沟道集成器件。
产品参数 图文手册 常见问题
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