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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6796由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD6796价格参考。Fairchild SemiconductorFDD6796封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDD6796参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD6796 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD6796 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252(DPAK)表面贴装封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 18 mΩ @ VGS = 10 V)、高电流能力(ID = 60 A)和快速开关特性。其典型应用场景包括: 1. DC-DC电源转换:广泛用于同步整流BUCK转换器、POL(负载点)电源模块中,提升效率并减小发热; 2. 电机驱动:适用于中小功率有刷直流电机、步进电机的H桥或半桥驱动电路,支持PWM调速; 3. 电池管理系统(BMS):用作充放电保护开关、电池反接保护或均衡开关; 4. LED照明驱动:在恒流LED驱动器中作为主开关或调光控制器件; 5. 工业与消费类电源:如适配器、UPS、智能家电的次级侧开关或负载开关。 该器件具备100 V耐压、雪崩额定能力及良好的热稳定性,适合中高功率、高频(数十kHz至数百kHz)开关应用。其DPAK封装兼顾散热性与PCB空间效率,便于自动化贴装与热管理设计。需注意栅极驱动电压匹配(推荐VGS = 10 V以确保充分导通)及PCB铜箔散热设计以保障长期可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 20A D-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDD6796 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2315pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 41nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.7 毫欧 @ 20A,10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FDD6796DKR |
| 功率-最大值 | 3.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Ta), 40A (Tc) |