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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FDD6770A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6770A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD6770A价格参考。Fairchild SemiconductorFDD6770A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD6770A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD6770A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD6770A 是 Fairchild Semiconductor（现属安森美半导体 ON Semiconductor）推出的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 TO-252（DPAK）表面贴装封装。其典型参数包括：VDS = 60 V、ID（连续）= 13 A（TC = 25°C）、RDS(on) ≈ 42 mΩ（VGS = 10 V），且具备低栅极电荷（Qg ≈ 16 nC）和优异的开关性能。 该器件主要应用于中功率直流开关场景，常见于： ✅ DC-DC 电源转换：如同步降压（Buck）转换器中的高边或低边开关，尤其适用于 12 V/24 V 输入系统（如车载电源、工业电源模块）； ✅ 电机驱动：用于中小功率有刷直流电机或步进电机的H桥驱动电路，支持PWM调速； ✅ 负载开关与电源管理：在便携设备、服务器板卡或嵌入式系统中作为高效、低损耗的电源通断控制开关； ✅ LED 驱动与照明电源：在恒流驱动电路或调光控制中用作开关元件； ✅ 电池保护与充电管理：在锂电池保护板或快充模块中承担充放电路径控制功能。 其逻辑电平驱动特性（VGS(th) 低至 1–2.5 V，且在 4.5 V 下即可充分导通）使其可直接由 MCU 或 FPGA 的 GPIO 驱动，无需额外驱动电路，简化设计并降低成本。综合来看，FDD6770A 适用于对效率、热性能及驱动简易性有较高要求的中等电流、中等电压功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 24A DPAKMOSFET 25V 50A N-Channel PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 27 A |
| Id-连续漏极电流 | 27 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD6770APowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDD6770A |
| Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
| Pd-功率耗散 | 3.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2405pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 47nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 毫欧 @ 24A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FDD6770ADKR |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 3.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 25 V |
| 漏极连续电流 | 27 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Ta）， 50A （Tc） |
| 系列 | FDD6770A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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