| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6512A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD6512A价格参考。Fairchild SemiconductorFDD6512A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDD6512A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD6512A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD6512A 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252(DPAK)表面贴装封装,具有30V耐压、48A连续漏极电流(Tc=25℃)、低导通电阻(Rds(on)典型值仅7.5mΩ @ Vgs=10V),并具备快速开关特性和良好的热稳定性。 其典型应用场景包括: ✅ DC-DC电源转换:广泛用于同步降压(Buck)转换器的下管(low-side switch),尤其适用于通信设备、服务器主板及工业电源中的高效率、高密度POL(Point-of-Load)模块。 ✅ 电机驱动:适用于中小功率直流有刷电机控制(如风扇、泵、电动工具驱动电路),支持PWM调速与高效能换向。 ✅ 负载开关与电源管理:在便携式设备、嵌入式系统中用作电池供电路径切换、USB端口过流保护或热插拔控制开关。 ✅ LED驱动与照明控制:作为恒流/调光回路中的主开关器件,支持高频PWM调光,提升能效与响应速度。 ✅ 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101可靠性标准(注:FDD6512A为工业级,非车规;若需车规应用,建议选用ON Semi对应AEC-Q101认证型号如NVFDD6512A),故更常用于车载非安全相关子系统(如座椅调节、HVAC风扇控制等)。 该器件凭借低Rds(on)和优化栅极电荷(Qg≈27nC),兼顾导通损耗与开关损耗,适合中高频(≤500kHz)开关应用,在注重效率、温升与PCB空间的设计中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 10.7A D-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDD6512A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1082pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 21 毫欧 @ 10.7A,4.5V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10.7A (Ta), 36A (Tc) |